月入500万！中国“山寨宇宙”，开始组团赚钱了

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因此，中国开发出价格低廉且有效的添加剂/扩散剂已经成为研究的热门方向。图文导读图1 退磁过程中反磁化畴形核和扩展的示意图图2晶界调控技术与现存烧结钕铁硼磁体制备工艺的结合：山寨始组1)晶间添加和2)晶界扩散图3钕铁硼磁体的非稀土晶界添加机制的示意图：山寨始组(a)仅含富钕氧化物的晶界相的，(b) 在晶间加入低熔点非稀土元素以增强晶界相的主相的润湿性，(c)在晶间添加用于细化晶粒的难熔颗粒图4重稀土、轻稀土和非稀土这三代晶界扩散剂的发展图5(a)非稀土原子Mg、Al、Cu、Zn和Ni的取代单原子Fe体系示意图，(b)450℃时Nd-Fe-Cu三元合金相图等温截面图6 (a)磁控溅射沉积的非稀土氧化物扩散剂的非示意图，(b)经MgO和ZnO扩散处理后矫顽力增强的退磁曲线图7 (a) 烧结磁体中不同类型晶界扩散剂引起的矫顽力增量，(b)非稀土晶界改性引起烧结磁体磁性能的变化图8烧结钕铁硼磁体的扫描电镜(a)、透射电镜 (c)和显微组织示意图 (e)，和MgO扩散磁体的扫描电镜(b)、透射电镜 (d)和显微组织示意图 (f)图9 (a1)初始磁体和ZnO包覆磁体的XRD谱图，ZnO沉积时间分别为15、30、60和120min，(a2)ZnO(120min)扩散磁体的XRD图谱，(b)初始磁体和 (c)ZnO(120min)扩散磁体的TEM图像图10(a)利用Al-Cr涂层实现晶界扩散和表面保护这两个工艺的结合，(b)Al-Cr扩散处理后磁体的元素分布，初始磁体和Al-Cr扩散磁体的 (c)磁滞回线和 (d)电势极化曲线总结与展望迄今为止，钕铁硼磁体的晶界改性主要包括两种典型的方法：晶间添加和晶界扩散。

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